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Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB vs Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB

総合得点
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Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 40
    周辺 10% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 8.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21% 高帯域
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 14.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.3 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2513 left arrow 2430

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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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