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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 37
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 7.2
    テスト平均値
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    35 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2312 left arrow 2065

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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