Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

総合得点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

3 16.9

テスト平均値

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 62

周辺 -114% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 1,910.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 5300

周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

62 29
読み出し速度、GB/s

3,611.3 16.9
書き込み速度、GB/秒

1,910.9 12.5
メモリ帯域幅、mbps

5300 17000

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

627 3191

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

Kingston KMKYF9-MIH 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB