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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

総合得点
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB 考慮すべき理由
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 39
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 3297

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAMの比較

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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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