RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
バグを報告する
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 39
    周辺 -11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.3 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 11.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 2631

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAMの比較

Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
メモリRAM