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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

総合得点
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB 考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 39
    周辺 -105% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.4 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    14.7 left arrow 19.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2322 left arrow 3397

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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 9905700-047.A00G 16GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
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