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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

総合得点
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB 考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 45
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 7.9
    テスト平均値
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 12.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2062 left arrow 2054

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB RAMの比較

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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
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メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Super Talent F26UB16GH 16GB
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メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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