Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

総合得点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

5 17.4

テスト平均値

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 39

周辺 -39% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.1 1,597.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 5300

周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 28
読み出し速度、GB/s

5,022.9 17.4
書き込み速度、GB/秒

1,597.0 13.1
メモリ帯域幅、mbps

5300 19200

Other

商品説明

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

753 3437

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB