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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
総合得点
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
39
周辺 -22% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
1,597.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
32
読み出し速度、GB/s
5,022.9
16.6
書き込み速度、GB/秒
1,597.0
13.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
753
3277
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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