RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

総合得点
star star star star star
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 17.9
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 39
    周辺 -26% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 1,597.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 31
  • 読み出し速度、GB/s
    5,022.9 left arrow 17.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,597.0 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    753 left arrow 3443

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAMの比較

A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
メモリRAM