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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB 考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 16.7
    テスト平均値
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 39
    周辺 -15% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 1,597.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    5,022.9 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,597.0 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    753 left arrow 2584

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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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メモリRAM
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
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メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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