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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
総合得点
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
総合得点
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
40
周辺 3% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
9.1
5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
6.3
1,597.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
39
40
読み出し速度、GB/s
5,022.9
9.1
書き込み速度、GB/秒
1,597.0
6.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
753
1764
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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