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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
総合得点
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
総合得点
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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考慮すべき理由
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
63
周辺 -163% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
6.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.6
5.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
63
24
読み出し速度、GB/s
6.1
16.8
書き込み速度、GB/秒
5.0
11.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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