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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
総合得点
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
総合得点
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
38
周辺 -19% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
10.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
32
読み出し速度、GB/s
16.7
16.6
書き込み速度、GB/秒
10.0
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2753
3009
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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