RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB 考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
Kingston KDK8NX-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 38
    周辺 -12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 10.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.7 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.0 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2753 left arrow 3142

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
メモリRAM
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
メモリRAM