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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
比較する
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
総合得点
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
総合得点
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.7
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.0
5.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
38
周辺 -46% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
26
読み出し速度、GB/s
16.7
11.7
書き込み速度、GB/秒
10.0
5.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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