RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
比較する
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
総合得点
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
79
周辺 -259% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
1,468.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
79
22
読み出し速度、GB/s
3,061.8
17.0
書き込み速度、GB/秒
1,468.1
13.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
422
3207
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAMの比較
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link