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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
総合得点
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
総合得点
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
43
周辺 -39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.5
9.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
31
読み出し速度、GB/s
13.2
15.1
書き込み速度、GB/秒
9.3
13.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2285
3095
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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