Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

総合得点

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

総合得点

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

13.2 11.3

テスト平均値

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

32 43

周辺 -34% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

9.6 9.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

43 32
読み出し速度、GB/s

13.2 11.3
書き込み速度、GB/秒

9.3 9.6
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2285 2395

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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