RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

総合得点
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 26
    周辺 -30% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 13.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    13.5 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1932 left arrow 3120

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAMの比較

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
メモリRAM