RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

総合得点
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

総合得点
star star star star star
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
バグを報告する
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB 考慮すべき理由
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 29
    周辺 -4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    5.8 left arrow 5.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.0 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.7 left arrow 5.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1274 left arrow 1699

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB RAMの比較

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM