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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
総合得点
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
総合得点
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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考慮すべき理由
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
29
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.4
9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.8
5.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
21
読み出し速度、GB/s
9.0
18.4
書き込み速度、GB/秒
5.7
12.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1274
2980
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
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