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Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB vs Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

総合得点
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Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB

総合得点
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB 考慮すべき理由
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 45
    周辺 2% 低遅延
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.1 left arrow 6.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 45
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 11.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.3 left arrow 8.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1499 left arrow 2077

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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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INTENSO 5641160 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905643-009.A00G 8GB
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