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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.2
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.1
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
15.3
18.2
書き込み速度、GB/秒
9.8
14.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
3012
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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