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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB

総合得点
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

総合得点
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB

Good Wealth Technology Ltd. 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB 考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB 考慮すべき理由
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 25
    周辺 -19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.1 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 18.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2646 left arrow 3211

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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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AMD R948G2806U2S 8GB
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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