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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
総合得点
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
総合得点
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
19.8
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
15.3
19.8
書き込み速度、GB/秒
9.8
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2646
3650
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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