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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

総合得点
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB 考慮すべき理由
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 36
    周辺 31% 低遅延
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 15.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    15.3 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.8 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2646 left arrow 2734

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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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