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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
29
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
29
読み出し速度、GB/s
16.1
17.5
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3308
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
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Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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