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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
16.1
16.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2629
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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