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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

総合得点
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 29
    周辺 14% 低遅延
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3304

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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
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メモリRAM
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