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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
27
周辺 7% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
27
読み出し速度、GB/s
16.1
18.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
15.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3615
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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