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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
26
周辺 4% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.9
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.3
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
26
読み出し速度、GB/s
16.1
18.9
書き込み速度、GB/秒
10.1
17.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3983
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
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