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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.0
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
16.1
14.2
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2933
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB RAMの比較
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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