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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
25
周辺 -19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
21
読み出し速度、GB/s
16.1
17.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2822
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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