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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
46
周辺 46% 低遅延
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
15.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
46
読み出し速度、GB/s
16.1
16.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
15.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2973
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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