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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
36
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
13.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
36
読み出し速度、GB/s
16.1
13.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2734
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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