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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
16.1
16.1
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2489
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB RAMの比較
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
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