RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 25
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.4 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3135

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
メモリRAM