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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

総合得点
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 28
    周辺 11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 16
    テスト平均値
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2901

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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
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メモリRAM
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Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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