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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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考慮すべき理由
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
25
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
23
読み出し速度、GB/s
16.1
16.6
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2710
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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