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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
16.1
15.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.3
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2892
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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