RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 40
    周辺 38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 13.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 9.7
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 9.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2204

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
メモリRAM