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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
16.1
16.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2947
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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