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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
28
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
28
読み出し速度、GB/s
16.1
17.4
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3419
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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