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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
31
周辺 19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
10.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
31
読み出し速度、GB/s
16.1
16.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
10.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2816
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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