RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 34
    周辺 26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 15.4
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 11.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2786

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM