RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 35
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 16
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3127

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
メモリRAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
INTENSO 5641152 4GB
メモリRAM