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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
42
周辺 40% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
42
読み出し速度、GB/s
16.1
15.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3033
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
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