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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18.6
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
16.1
18.6
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3217
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB RAMの比較
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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