Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

総合得点

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

考慮すべき理由
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

バグを報告する

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

23 65

周辺 -183% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16.3 6.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.4 5.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 14900

周辺 1.29 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

65 23
読み出し速度、GB/s

6.8 16.3
書き込み速度、GB/秒

5.4 12.4
メモリ帯域幅、mbps

14900 19200

Other

商品説明

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1370 2637

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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